العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25X80VDAIZ IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8DIP تحقيق
W25Q16CLSVIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP تحقيق
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA تحقيق
W631GG6MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q64FVDAIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25Q64FVSFJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q16CVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W971GG8JB-25 Image W971GG8JB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q32BVSSJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25X05CLUXIG TR Image W25X05CLUXIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W29GL064CL7B Image W29GL064CL7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q64FWSTIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W948D6FBHX5E TR Image W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q128JVCIM Image W25Q128JVCIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W632GG6KB12I TR Image W632GG6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32JVZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32DWZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W987D2HBJX6I TR Image W987D2HBJX6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W9751G6KB-18 Image W9751G6KB-18 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W97AH2KBQX2E IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q16CVSSJG TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W631GG6KB12I TR Image W631GG6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W948D6FBHX5E Image W948D6FBHX5E IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25X20CLZPIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9812G2KB-6I Image W9812G2KB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q32FVTCIP TR Image W25Q32FVTCIP TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W9751G8KB-25 TR Image W9751G8KB-25 TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG6MB-15 TR Image W632GG6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q128FVCIG Image W25Q128FVCIG IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W956D6HBCX7I TR Image W956D6HBCX7I TR IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W978H2KBQX2E IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W632GU8KB15I TR Image W632GU8KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q128BVEJG TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q64JVSFIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W9812G6KH-6I TR Image W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9712G6KB25I Image W9712G6KB25I IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA تحقيق
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W631GG6KS-12 IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W29GL256PH9B Image W29GL256PH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q80BLSNIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W9425G6KH-5 Image W9425G6KH-5 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q256JVCIQ TR Image W25Q256JVCIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25X40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q257FVEIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X20AVSNIG IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W29EE011P90Z IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC تحقيق
W631GG8KB15I Image W631GG8KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q64CVZEJP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W97BH6KBVX2I Image W97BH6KBVX2I IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية