بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
FR20DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 20A DO5 تحقيق
1N3768 Image 1N3768 DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5 تحقيق
MUR2520R DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4 تحقيق
GP1M016A025CG Image GP1M016A025CG MOSFET N-CH 250V 16A DPAK تحقيق
GP1M016A060H Image GP1M016A060H MOSFET N-CH 600V 16A TO220 تحقيق
FR40G05 DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 تحقيق
GHXS060A120S-D4 Image GHXS060A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 تحقيق
GKR26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 تحقيق
GCMS010A120S7B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL تحقيق
S16G DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA تحقيق
FST10080 Image FST10080 DIODE MODULE 80V 100A TO249AB تحقيق
GP1M008A025CG Image GP1M008A025CG MOSFET N-CH 250V 8A DPAK تحقيق
GSXD080A012S1-D3 Image GSXD080A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227 تحقيق
GSID200A120S5C1 Image GSID200A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 335A تحقيق
GHIS060A120S-A2 Image GHIS060A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227 تحقيق
GP1M005A050CH Image GP1M005A050CH MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK تحقيق
GSXD060A020S1-D3 Image GSXD060A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227 تحقيق
GP1M007A065CG Image GP1M007A065CG MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK تحقيق
1N2129AR DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5 تحقيق
GCMS020A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 تحقيق
GSXF060A020S1-D3 Image GSXF060A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 60A SOT227 تحقيق
FR20G02 DIODE GEN PURP 400V 20A DO5 تحقيق
GSXD100A012S1-D3 Image GSXD100A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 تحقيق
FST160100 Image FST160100 DIODE MODULE 100V 160A TO249AB تحقيق
GP3D030A060B DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247 تحقيق
GP2D040A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
GCMS040A120B3C1 SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY تحقيق
GP1M009A020CG Image GP1M009A020CG MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
S40GR DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 تحقيق
GSXD120A008S1-D3 Image GSXD120A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227 تحقيق
FR30AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 30A DO5 تحقيق
GCMS080A120B3C1 SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY تحقيق
S16Q Image S16Q DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA تحقيق
S70B DIODE GEN PURP 100V 70A DO5 تحقيق
GP1M010A080N Image GP1M010A080N MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN تحقيق
S25KR DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA تحقيق
GB05SLT12-252 Image GB05SLT12-252 DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 تحقيق
GHXS020A060S-D4 Image GHXS020A060S-D4 DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 تحقيق
GP1M006A065CH Image GP1M006A065CH MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK تحقيق
MUR2560 DIODE GEN PURP 600V 25A DO4 تحقيق
FR12BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 تحقيق
GP2D036A060B DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2 تحقيق
1N3211 DIODE GEN PURP 300V 15A DO5 تحقيق
FR6J05 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 تحقيق
1N3213 DIODE GEN PURP 500V 15A DO5 تحقيق
GSXF100A100S1-D3 Image GSXF100A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227 تحقيق
GP2M002A060FG Image GP2M002A060FG MOSFET N-CH 600V 2A TO220F تحقيق
S40QR Image S40QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 40A DO5 تحقيق
GP2M005A050CG Image GP2M005A050CG MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK تحقيق
FR12JR05 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية