SSM6L09FUTE85LF
SSM6L09FUTE85LF
رقم القطعة:
SSM6L09FUTE85LF
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
51590 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SSM6L09FUTE85LF.pdf

المقدمة

We can supply SSM6L09FUTE85LF, use the request quote form to request SSM6L09FUTE85LF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SSM6L09FUTE85LF.The price and lead time for SSM6L09FUTE85LF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SSM6L09FUTE85LF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.8V @ 100µA
تجار الأجهزة حزمة:US6
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:700 mOhm @ 200MA, 10V
السلطة - ماكس:300mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:SSM6L09FUTE85LFCT
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:20pF @ 5V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:400mA, 200mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات