العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2
رقم القطعة:
IXTY1R6N50D2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
56251 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
IXTY1R6N50D2.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply IXTY1R6N50D2, use the request quote form to request IXTY1R6N50D2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTY1R6N50D2.The price and lead time for IXTY1R6N50D2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTY1R6N50D2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252, (D-Pak)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.3 Ohm @ 800mA, 0V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:645pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:23.7nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTY1R6N50D2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTY1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 تحقيق
IXTY32P05T IXYS Corporation MOSFET P-CH 50V 32A TO-252 تحقيق
IXTY24N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 تحقيق
IXTY2N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 تحقيق
IXTY2N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA تحقيق
IXTY2N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK تحقيق
IXTY3N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK تحقيق
IXTY1R4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK تحقيق
IXTY1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA تحقيق
IXTY1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 تحقيق
IXTY1N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 تحقيق
IXTY26P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 تحقيق
IXTY1R4N60P TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK تحقيق
IXTY1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 تحقيق
IXTY2R4N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK تحقيق
IXTY1R4N120PHV IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXTY1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK تحقيق
IXTY1R6N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK تحقيق
IXTY1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 تحقيق
IXTY2N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 تحقيق

Latest الأخبار