русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFN102N30P
IXFN102N30P
IXFN102N30P
Тип продуктов:
IXFN102N30P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
40729 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFN102N30P.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFN102N30P, use the request quote form to request IXFN102N30P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN102N30P.The price and lead time for IXFN102N30P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN102N30P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - испытания:7500pF @ 25V
Напряжение - Разбивка:SOT-227B
Vgs (й) (Max) @ Id:33 mOhm @ 500mA, 10V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Серии:PolarHV™
Статус RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:88A
поляризация:SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Номер детали производителя:IXFN102N30P
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:224nC @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:5V @ 4mA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 300V 88A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:300V
Коэффициент емкости:600W (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFN102N30P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFN100N20 Image IXFN100N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B запрос
IXFN100N50Q3 Image IXFN100N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 запрос
IXFN120N65X2 Image IXFN120N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 запрос
IXFN140N20P Image IXFN140N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B запрос
IXFN110N60P3 Image IXFN110N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 запрос
IXFN100N50P Image IXFN100N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B запрос
IXFN100N65X2 Image IXFN100N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXFN100N10S3 Image IXFN100N10S3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B запрос
IXFN100N10S1 Image IXFN100N10S1 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B запрос
IXFN120N25 Image IXFN120N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B запрос
IXFN106N20 Image IXFN106N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B запрос
IXFN130N30 Image IXFN130N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B запрос
IXFN110N85X Image IXFN110N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B запрос
IXFN132N50P3 Image IXFN132N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 запрос
IXFN100N25 Image IXFN100N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B запрос
IXFN100N10S2 Image IXFN100N10S2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B запрос
IXFM67N10 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 запрос
IXFN140N25T Image IXFN140N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 запрос
IXFN120N20 Image IXFN120N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B запрос
IXFM42N20 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 запрос

Latest Новости