HUF75339P3
Тип продуктов:
HUF75339P3
производитель:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
14435 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
1.HUF75339P3.pdf2.HUF75339P3.pdf

Введение

We can supply HUF75339P3, use the request quote form to request HUF75339P3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HUF75339P3.The price and lead time for HUF75339P3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HUF75339P3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-220AB
Серии:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 75A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):200W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-220-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:6 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:2000pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:130nC @ 20V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):55V
Подробное описание:N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание