TPCF8B01(TE85L,F,M
- Modelo do Produto:
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16091 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VS-8 (2.9x1.5) |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 330mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SMD, Flat Lead |
| Outros nomes: | TPCF8B01(TE85L,F) TPCF8B01(TE85L,F)-ND TPCF8B01(TE85L,F,M-ND TPCF8B01(TE85LFMTR TPCF8B01FTR TPCF8B01FTR-ND |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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