SUM110N04-2M1P-E3
SUM110N04-2M1P-E3
Modelo do Produto:
SUM110N04-2M1P-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
9695 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SUM110N04-2M1P-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Teste:18800pF @ 20V
Tensão - Breakdown:TO-263 (D2Pak)
VGS (th) (Max) @ Id:2.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max):4.5V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:TrenchFET®
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:29A (Ta), 110A (Tc)
Polarização:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:SUM110N04-2M1P-E3-ND
SUM110N04-2M1P-E3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Número de peça do fabricante:SUM110N04-2M1P-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:360nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 40V 29A (Ta), 110A (Tc) 3.13W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40V
Rácio de capacitância:3.13W (Ta), 312W (Tc)
Email:[email protected]

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