SQJ431EP-T1_GE3
- Modelo do Produto:
- SQJ431EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 79362 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SQJ431EP-T1_GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Teste: | 4355pF @ 25V |
| Tensão - Breakdown: | PowerPAK® SO-8 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12A (Tc) |
| Polarização: | PowerPAK® SO-8 |
| Outros nomes: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SQJ431EP-T1_GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5V @ 250µA |
| Característica FET: | P-Channel |
| Descrição expandida: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| Rácio de capacitância: | 83W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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