SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3
Modelo do Produto:
SIHF30N60E-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
55587 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIHF30N60E-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:E
RDS ON (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):37W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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