SIHB12N65E-GE3
- Modelo do Produto:
- SIHB12N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 33605 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SIHB12N65E-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Teste: | 1224pF @ 100V |
| Tensão - Breakdown: | D²PAK (TO-263) |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12A (Tc) |
| Polarização: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 19 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SIHB12N65E-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 70nC @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| Rácio de capacitância: | 156W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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