SBAS116LT1G
SBAS116LT1G
Modelo do Produto:
SBAS116LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
54040 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SBAS116LT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.25V @ 150mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):75V
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Velocidade:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):3µs
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SBAS116LT1G-ND
SBAS116LT1GOSTR
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Atual - dispersão reversa @ Vr:5nA @ 75V
Atual - rectificada média (Io):200mA (DC)
Capacitância @ Vr, F:2pF @ 0V, 1MHz
Número da peça base:BAS116
Email:[email protected]

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