IDH04G65C5XKSA1
- Modelo do Produto:
- IDH04G65C5XKSA1
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 44944 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- IDH04G65C5XKSA1.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 4A (DC) |
| Tensão - Breakdown: | PG-TO220-2 |
| Série: | thinQ!™ |
| Status de RoHS: | Tube |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Polarização: | TO-220-2 |
| Outros nomes: | IDH04G65C5 IDH04G65C5-ND SP000925198 |
| Temperatura de Operação - Junção: | 0ns |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IDH04G65C5XKSA1 |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| configuração de diodo: | 140µA @ 650V |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.7V @ 4A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 650V |
| Capacitância @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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