HUF75332P3
Modelo do Produto:
HUF75332P3
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
68734 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
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Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max):145W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:HUF75332P3-ND
HUF75332P3FS
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 60A (Tc) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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