H11A817B3SD
H11A817B3SD
Modelo do Produto:
H11A817B3SD
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17353 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
H11A817B3SD.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Saída (Max):70V
Tensão - Isolamento:5300Vrms
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo):1.2V
Vce Saturação (Max):200mV
Ativar / Desativar o Tempo (Typ):-
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-SMD
Série:-
Aumento / tempo de queda (típico):2.4µs, 2.4µs
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-SMD, Gull Wing
Tipo de saída:Transistor
Temperatura de operação:-55°C ~ 100°C
Número de canais:1
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:DC
Descrição detalhada:Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-SMD
Taxa de transferência de corrente (Min):130% @ 5mA
Taxa de transferência de corrente (máx):260% @ 5mA
Atual - Saída / Canal:50mA
Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.):50mA
Email:[email protected]

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