DMN2013UFX-7
DMN2013UFX-7
Modelo do Produto:
DMN2013UFX-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
64061 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMN2013UFX-7.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Teste:2607pF @ 10V
Tensão - Breakdown:W-DFN5020-6
VGS (th) (Max) @ Id:11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Série:-
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10A
Power - Max:780mW
Polarização:6-VFDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMN2013UFX-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN2013UFX-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:57.4nC @ 8V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.1V @ 250µA
Característica FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 780mW Surface Mount W-DFN5020-6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):Logic Level Gate
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20V
Email:[email protected]

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