DLA11C-TR-E
- Modelo do Produto:
- DLA11C-TR-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 66943 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- DLA11C-TR-E.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Standard |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.1A |
| Tensão - Breakdown: | - |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | - |
| Polarização: | 2-SMD |
| Temperatura de Operação - Junção: | 50ns |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | DLA11C-TR-E |
| Descrição expandida: | Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount |
| configuração de diodo: | 10µA @ 200V |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 980mV @ 1.1A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitância @ Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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