Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
Tensão - Teste: | 4100pF @ 10V |
Tensão - Breakdown: | PG-TDSON-8 |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (Max): | 2.5V, 4.5V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Série: | OptiMOS™ |
Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
Polarização: | 8-PowerTDFN |
Outros nomes: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
Número de peça do fabricante: | BSC046N02KS G |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 27.6nC @ 4.5V |
Tipo de IGBT: | ±12V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 110µA |
Característica FET: | N-Channel |
Descrição expandida: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
Descrição: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 20V |
Rácio de capacitância: | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
Email: | [email protected] |