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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)
Modelo do Produto:
2SK3564(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16488 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Teste:700pF @ 25V
Tensão - Breakdown:TO-220SIS
VGS (th) (Max) @ Id:4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:π-MOSIV
Status de RoHS:Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3A (Ta)
Polarização:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SK3564(STA4,Q,M)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17nC @ 10V
Tipo de IGBT:±30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 1mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:900V
Rácio de capacitância:40W (Tc)
Email:[email protected]

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