SIHB22N60S-E3
SIHB22N60S-E3
Part Number:
SIHB22N60S-E3
Producent:
Vishay / Siliconix
Opis:
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
26694 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SIHB22N60S-E3.pdf

Wprowadzenie

We can supply SIHB22N60S-E3, use the request quote form to request SIHB22N60S-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHB22N60S-E3.The price and lead time for SIHB22N60S-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHB22N60S-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
Napięcie - Test:2810pF @ 25V
Napięcie - Podział:TO-263 (D²Pak)
VGS (th) (Max) @ Id:190 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (maks.):10V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Seria:-
Stan RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @ ID, Vgs:22A (Tc)
Polaryzacja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy:SIHB22N60S-E3TR
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:SIHB22N60S-E3
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:110nC @ 10V
Rodzaj IGBT:±30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:4V @ 250µA
Cecha FET:N-Channel
Rozszerzony opis:N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Spust do źródła napięcia (Vdss):-
Opis:MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:600V
Stosunek pojemności:250W (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze