HUF75321D3
HUF75321D3
Modello di prodotti:
HUF75321D3
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
11895 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
HUF75321D3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251AA
Serie:UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:36 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):93W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:N-Channel 55V 20A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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