GP1M018A020FG
GP1M018A020FG
Modello di prodotti:
GP1M018A020FG
fabbricante:
Global Power Technologies Group
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
58978 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GP1M018A020FG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):30.4W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 18A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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