GP1M018A020CG
GP1M018A020CG
Modèle de produit:
GP1M018A020CG
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
74937 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GP1M018A020CG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-Pak
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max):94W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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