HUF75321P3
Número de pieza:
HUF75321P3
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
63690 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
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Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:34 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo):93W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:44nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción detallada:N-Channel 55V 35A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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