H11AG3W
H11AG3W
Artikelnummer:
H11AG3W
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
26683 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
H11AG3W.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
Spannung - Ausgabe (max):30V
Spannung - Isolation:5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ):1.5V (Max)
VCE Sätttigung (max):400mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ):5µs, 5µs
Supplier Device-Gehäuse:6-DIP
Serie:-
Aufstieg / Fallzeit (Typ):-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:6-DIP (0.400", 10.16mm)
Ausgabetyp:Transistor with Base
Betriebstemperatur:-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle:1
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:DC
detaillierte Beschreibung:Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min):20% @ 1mA
Stromübertragungsverhältnis (max):-
Strom - Ausgang / Kanal:50mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max):50mA
Email:[email protected]

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