SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3
Part Number:
SIHP30N60E-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
20056 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SIHP30N60E-GE3.pdf

Úvod

We can supply SIHP30N60E-GE3, use the request quote form to request SIHP30N60E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHP30N60E-GE3.The price and lead time for SIHP30N60E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHP30N60E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Napětí - Test:2600pF @ 100V
Vgs (th) (max) 'Id:125 mOhm @ 15A, 10V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Série:E
Stav RoHS:Digi-Reel®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:29A (Tc)
Polarizace:TO-220-3
Ostatní jména:SIHP30N60E-GE3DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:21 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SIHP30N60E-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:130nC @ 10V
Typ IGBT:±30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
FET Feature:N-Channel
Rozšířený popis:N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
Drain na zdroj napětí (Vdss):-
Popis:MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:600V
kapacitní Ratio:250W (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře