Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ
Part Number:
PMXB360ENEAZ
Výrobce:
Nexperia
Popis:
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
38234 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
PMXB360ENEAZ.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply PMXB360ENEAZ, use the request quote form to request PMXB360ENEAZ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMXB360ENEAZ.The price and lead time for PMXB360ENEAZ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMXB360ENEAZ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:DFN1010D-3
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 1.1A, 10V
Ztráta energie (Max):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:3-XDFN Exposed Pad
Ostatní jména:1727-1474-6
568-10945-6
568-10945-6-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:26 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 40V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):80V
Detailní popis:N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro PMXB360ENEAZ

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN Dotaz
PMXB40UNEZ Image PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G Dotaz
PMXB75UPEZ Image PMXB75UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G Dotaz
PMXB56ENZ Image PMXB56ENZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G Dotaz
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Dotaz
PMXB65ENEZ Image PMXB65ENEZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Dotaz
PMXB65UPEZ Image PMXB65UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G Dotaz
STB11NK40ZT4 Image STB11NK40ZT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK Dotaz
PMXB40UNEZ Image PMXB40UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Dotaz
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Dotaz
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN Dotaz
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 Dotaz
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G Dotaz
RJK0654DPB-00#J5 Image RJK0654DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V LFPAK Dotaz
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN Dotaz
STW72N60DM2AG Image STW72N60DM2AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 66A Dotaz
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 Dotaz
PMXB40UNE Image PMXB40UNE Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Dotaz
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 Dotaz
PMXB120EPE Image PMXB120EPE Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN Dotaz

Latest News