HUF75333S3
Part Number:
HUF75333S3
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
38946 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
HUF75333S3.pdf

Úvod

We can supply HUF75333S3, use the request quote form to request HUF75333S3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HUF75333S3.The price and lead time for HUF75333S3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HUF75333S3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:I2PAK (TO-262)
Série:UltraFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 66A, 10V
Ztráta energie (Max):150W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):55V
Detailní popis:N-Channel 55V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře