Stav | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Původ | Contact us |
Napětí - Test: | 4100pF @ 10V |
Napětí - Rozdělení: | PG-TDSON-8 |
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (Max): | 2.5V, 4.5V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Série: | OptiMOS™ |
Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
Polarizace: | 8-PowerTDFN |
Ostatní jména: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | BSC046N02KS G |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 27.6nC @ 4.5V |
Typ IGBT: | ±12V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 110µA |
FET Feature: | N-Channel |
Rozšířený popis: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
Popis: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 20V |
kapacitní Ratio: | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
Email: | [email protected] |