بطاقة خط

Storm Interface

Storm Interface

- واجهة العاصفة - هدف الشركة: تطوير وتصنيع وتسويق أجهزة إدخال البيانات القوية والمتجاوبة للاستخدام في مجموعة واسعة من التطبيقات الصناعية والعامة.
تأسست Keymat Technology Ltd. في مارس 1986 كشركة مسجلة خاصة في المملكة المتحدة. يقع مقرها الرئيسي في مبانيها للتملك الحر ، غرب لندن ، على بعد أربعة أميال فقط شمال مطار هيثرو. يقع قسم إنتاج الشركة "Storm Manufacturing" في مالدون ، على الساحل الشرقي لإنجلترا ، ويقع قسم مبيعاتها في أمريكا الشمالية في غلين إيلين ، إلينوي خارج شيكاغو مباشرةً.
يتم حماية تقنيات التحويل الأساسية التي طورتها الشركة بواسطة براءات الاختراع الدولية وتطبيقات البراءات. يستمر تطوير هذه التقنيات وإدماجها في منتجات جديدة ومبتكرة لزيادة وتكامل مجموعة المنتجات القائمة.
مكنت إستراتيجية التطوير المستمر هذه الشركة من تسويق نطاق أوسع من منتجات إدخال البيانات تحت علامة تجارية قوية واحدة "STORM". هذه هي منتجات العلامة التجارية الفاخرة التي تعكس المعايير الهندسية والأداء الصارمة المطلوبة في بيئات اليوم العسكرية والطبية والصناعية والعامة.
صورة رقم القطعة وصف رأي
DVIULC6-2M6 Image DVIULC6-2M6 TVS DIODE 5VWM 17VC 6VFQFPN تحقيق
STD16N65M2 Image STD16N65M2 MOSFET N-CH 650V 11A DPAK تحقيق
STTH312B DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK تحقيق
M41T60Q6F Image M41T60Q6F IC RTC CLK/CALENDAR I2C 16-QFN تحقيق
SPV1002D40 Image SPV1002D40 DIODE GEN PURP 40V 16A D2PAK تحقيق
SPV1002T40 Image SPV1002T40 DIODE GEN PURP 40V 16A TO220 تحقيق
STTH61W04SW Image STTH61W04SW DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 تحقيق
SMM4F24A-TR Image SMM4F24A-TR TVS DIODE 24VWM 50VC DO222AA تحقيق
SM15T68CA Image SM15T68CA TVS DIODE 58.1VWM 121VC SMC تحقيق
STTH60L04W Image STTH60L04W DIODE GEN PURP 400V 60A DO247 تحقيق
UC3842BD1013TR Image UC3842BD1013TR IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC تحقيق
STM32F072VBT6 IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP تحقيق
STM32L471RET6 IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64LQFP تحقيق
STM32F723IEK6 IC MCU 32BIT 512KB FLASH 176BGA تحقيق
BHK3012TV Image BHK3012TV DIODE MODULE 1.2KV ISOTOP تحقيق
STTH80S06W Image STTH80S06W DIODE TURBO2 600V 80A DO247 تحقيق
STTH1210G-TR Image STTH1210G-TR DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK تحقيق
STPS30M100DJF-TR Image STPS30M100DJF-TR DIODE SCHOTTKY 100V 30A POWRFLAT تحقيق
SM6HT30A Image SM6HT30A TVS DIODE 25.6VWM DO214AA تحقيق
SM6T6V8A Image SM6T6V8A TVS DIODE 5.8VWM 13.4VC SMB تحقيق
ITA18B1 Image ITA18B1 TVS DIODE 15VWM 28VC 8SOIC تحقيق
STTH810G Image STTH810G DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK تحقيق
ESDALCL6-2SC6 Image ESDALCL6-2SC6 TVS DIODE 3VWM 17VC SOT23-6 تحقيق
M41ST85WMX6TR IC RTC CLK/CALENDAR I2C 28-SOIC تحقيق
BAT41WFILM Image BAT41WFILM DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOT323 تحقيق
LD29300D2T25R Image LD29300D2T25R IC REG LDO 2.5V 3A D2PAK تحقيق
STTH10R04B DIODE GEN PURP 400V 10A DPAK تحقيق
STTH5BCF060 Image STTH5BCF060 DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD تحقيق
STM32F446RCT6 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP تحقيق
STPS3045FP Image STPS3045FP DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220FPAC تحقيق
STM32L152VBT6 IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP تحقيق
SPC564A80L7CFAR Image SPC564A80L7CFAR IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP تحقيق
SM4T68CAY Image SM4T68CAY TVS DIODE 58VWM 121VC SMA تحقيق
1.5KE56ARL Image 1.5KE56ARL TVS DIODE 47.8VWM 100VC DO201 تحقيق
SM30T19CAY Image SM30T19CAY TVS DIODE 16VWM 26VC SMC تحقيق
STF19NM50N Image STF19NM50N MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP تحقيق
STTH20R04G Image STTH20R04G DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK تحقيق
1.5KE100A Image 1.5KE100A TVS DIODE 85.5VWM 178VC DO201 تحقيق
HSP051-4M10 Image HSP051-4M10 TVS DIODE 5VWM 10VC 10DFN تحقيق
STTH8R06G Image STTH8R06G DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK تحقيق
STPS30120DJF-TR Image STPS30120DJF-TR DIODE SCHOTTKY 120V 30A POWRFLAT تحقيق
ESDA5V3SC6 Image ESDA5V3SC6 TVS DIODE 3VWM SOT23-6 تحقيق
SMA6F13A-TR Image SMA6F13A-TR TVS DIODE 13VWM 23.9VC SMAFLAT تحقيق
BUT92 TRANS NPN 250V 50A TO-3 تحقيق
TSX634IYPT IC COMPARATOR 16V CMOS 14TSSOP تحقيق
STTH1212G Image STTH1212G DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK تحقيق
BUT100 TRANS NPN 125V 50A TO-3 تحقيق
GS-R12FV0001.9 Image GS-R12FV0001.9 CONVERTR MODULE DC-DC 1.9A 15SIP تحقيق
VN5E160ASTR-E Image VN5E160ASTR-E IC DVR SWITCH HI SIDE SGL 8SOIC تحقيق
VIPERA16HD IC OFFLINE CONV PWM OTP تحقيق
سجلات 194
سابق1234التالينهاية