بطاقة خط

Initial State Technologies, Inc.

Initial State Technologies, Inc.

- الدولة الأولية هي عبارة عن منصة بيانات لإنترنت الأشياء (IoT). تسهل الحالة الأولية على أي شخص ، من المبتدئ إلى المؤسسة ، توصيل المستشعرات بالإنترنت ، وإرسال البيانات من تلك المستشعرات إلى السحابة حيث يمكن الوصول إلى هذه البيانات في أي وقت ، وتحويل تلك البيانات على الفور إلى شيء رائع - لوحات تفاعلية في الوقت الفعلي ، والرسوم البيانية والإحصاءات والإخطارات ، webhooks ، الخ. الدولة الأولية تركز على خلق تجربة رائعة من البيانات الفورية التي يتم إنشاؤها حتى لحظة يتم استهلاك البيانات. تأسست في عام 2012 ومقرها في ناشفيل ، TN ، Initial State هي شركة ناشئة مدعومة من قبل المستثمر.
صورة رقم القطعة وصف رأي
IRF6612TR1 Image IRF6612TR1 MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET تحقيق
IRGP4640DPBF Image IRGP4640DPBF IGBT 600V 65A 250W TO247AD تحقيق
IRLML6401GTRPBF Image IRLML6401GTRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 تحقيق
BSO201SPNTMA1 Image BSO201SPNTMA1 MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC تحقيق
2EDN8523RXUMA1 Image 2EDN8523RXUMA1 IC GATE DRVR 8TSSOP تحقيق
IRS2336DMTRPBF Image IRS2336DMTRPBF IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 48-MLPQ تحقيق
IDH04G65C5XKSA1 Image IDH04G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 تحقيق
XMC4800F100K2048AAXQMA1 Image XMC4800F100K2048AAXQMA1 IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100LQFP تحقيق
C167SRLMHAKXQLA1 Image C167SRLMHAKXQLA1 IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP تحقيق
IR3088MTRPBF Image IR3088MTRPBF IC CTLR XPHASE 28-MLPQ تحقيق
IRFR1205TRR MOSFET N-CH 55V 44A DPAK تحقيق
BAS 3010S-02LRH E6327 Image BAS 3010S-02LRH E6327 DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2 تحقيق
IDC08S120EX7SA1 DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE تحقيق
BSC046N02KS G Image BSC046N02KS G MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 تحقيق
AUIRFS8407-7TRL Image AUIRFS8407-7TRL MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK تحقيق
BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 0.23A SOT23 تحقيق
SLB9670XQ12FW641XUMA1 Image SLB9670XQ12FW641XUMA1 SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC' تحقيق
IR2085STRPBF Image IR2085STRPBF IC DRIVER HALF BRIDGE OSC 8SOIC تحقيق
SLB9665TT20FW540XUMA2 SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC' تحقيق
IDH06G65C5XKSA1 Image IDH06G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 تحقيق
IDH10G65C5XKSA1 Image IDH10G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 تحقيق
BSC028N06NSATMA1 Image BSC028N06NSATMA1 MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 تحقيق
IRF6646TR1 Image IRF6646TR1 MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET تحقيق
IR3628MTRPBF IC CTLR PWM BUCK SYNC 12-MLPD تحقيق
IRF7555TRPBF Image IRF7555TRPBF MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 تحقيق
BAS16WE6327HTSA1 Image BAS16WE6327HTSA1 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 تحقيق
SLB9645VQ12FW13332XUMA2 SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC' تحقيق
IRFR1010ZPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK تحقيق
IR3500MTRPBF IC XPHASE3 CONTROL 32-MLPQ تحقيق
TLE7186FXUMA2 IC MOTOR CONTROLLER PAR 48VQFN تحقيق
IDT08S60CHKSA1 DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2 تحقيق
IDT10S60CHKSA1 DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2 تحقيق
IRF6610TR1 Image IRF6610TR1 MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET تحقيق
BFP840FESDH6327XTSA1 Image BFP840FESDH6327XTSA1 IC TRANSISTOR RF NPN TSFP-4 تحقيق
TLE9260QXV33XUMA1 Image TLE9260QXV33XUMA1 IC SBC 48VQFN تحقيق
IRF7805ZGTRPBF Image IRF7805ZGTRPBF MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC تحقيق
TLE6251DXUMA1 IC TXRX CAN HS 8-DSOP تحقيق
IR2521DSTRPBF Image IR2521DSTRPBF IC BALLAST CNTROLLER 600V 8-SOIC تحقيق
IR3510MTRPBF IC XPHASE CONTROL 32-MLPQ تحقيق
IDW20G65C5FKSA1 Image IDW20G65C5FKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 تحقيق
IRFR1205TRL MOSFET N-CH 55V 44A DPAK تحقيق
IRFR13N20DTR MOSFET N-CH 200V 13A DPAK تحقيق
SLF9630ID1XFSA1 TRANSPORT&TICKETING تحقيق
IRL60S216 Image IRL60S216 MOSFET N-CH 60V 195A تحقيق
IDH05G65C5XKSA1 Image IDH05G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2 تحقيق
IRFR18N15DTRL MOSFET N-CH 150V 18A DPAK تحقيق
IRLML5203GTRPBF Image IRLML5203GTRPBF MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 تحقيق
IKW50N65F5FKSA1 Image IKW50N65F5FKSA1 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 تحقيق
IDT05S60CHKSA1 DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2 تحقيق
ICE3B0565JFKLA1 Image ICE3B0565JFKLA1 IC OFFLINE CTRLR SMPS OTP 8DIP تحقيق
سجلات 141
سابق123التالينهاية