1N8028-GA
- Número de pieza:
- 1N8028-GA
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 48354 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1N8028-GA.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 9.4A (DC) |
| Tensión - Desglose: | TO-257 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tube |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 884pF @ 1V, 1MHz |
| Polarización: | TO-257-3 |
| Otros nombres: | 1242-1115 1N8028GA |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N8028-GA |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
| configuración de diodo: | 20µA @ 1200V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.6V @ 10A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 250°C |
| Email: | [email protected] |
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